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SIEMENS: Transistor-Prüfgerät
für Stromverstärkung


SIEMENS Transistor-Prüfgerät mit eingestecktem Transistor.  Deutschland, ca. 1960.

Dieses Transistor-Prüfgerät wurde im Hause SIEMENS ca. 1960 entwickelt und gefertigt. Da es weder eine der üblichen Rel-Typenbezeichnung noch eine Seriennummer auf dem Typenschild enthält, und auch im Inneren keine der sonst aufzufindenden Prüfstempel aufweist, handelt es sich vermutlich um einen Prototypen, ein Labormuster oder ein ausschließlich intern eingesetztes Messinstrument - ein entsprechendes Seriengerät ist nicht bekannt.


SIEMENS Transistor-Prüfgerät, Innenansicht. Deutschland, ca. 1960.

Die Bedienung und der innere Aufbau sind denkbar einfach: Ein Netzteil mit Z-Diode zur Stabilisierung stellt die erforderlichen Betriebsspannungen mittels Spannungsteilern an einer Transitorfassung zur Verfügung. An dem eingesteckten, in Emitterschaltung betriebenen  NPN- oder PNP-Transistor wird die Basis-Emitterspannung mittels zweier Potentiometer (grob und fein) erhöht, und der resultierende Basisstrom JB und der Kollektorstrom IC gemessen. Der Messbereich der Anzeigsinstrumente kann dabei mittels Nebenwiderständen entsprechend angepasst werden.  Bildet man den Quotienten aus Kollektor- und Basisstrom erhält man die Verstärkung "B" (Kleinsignal-Stromverstärkung, auch h21).
Ferner können mit dem Transistor-Prüfgerät Messungen der Restströme vorgenommen werden, wozu der Betriebsart-Schalter den Transistor in die entsprechende Schaltung legt.

Das sehr kompakte und zuverlässige Prüf- und Messgerät lässt eine zügige Beurteilung eines Transistors zu und und ermöglicht überdies - mit etwas Mehraufwand -  das Matchen von Transsitor-Paaren. Mit seinem einen Betriebsartenschalter, der Fassung und der letztlich einen Messweise erinnert es leicht an das Pandon für Elektronenröhren, den FUNKE W19

Kennwerte:
Messarten:                   Vorabprüfung der Durchlassströme Kollektor - Basis - Emitter
                                  Messung von IC in Abhängigkeit von JB
Messbereiche:               JB: 50 uA ... 100 mA;  JC: 50 uA ... 1000 mA    

Abmessungen B x H x T:  (260 x 160 x 180) mm; Gewicht: 4,0 kg.

 
  
  
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